SDRAM (เอสดีแรม) ย่อมาจากคำว่า Synchronous Dynamic RAM SDRAM คือหน่วยความจำแรมที่พัฒนามาจาก DRAM เพื่อให้สามารถทำงานร่วมกับระบบบัสความเร็วสูงได้ โดยบริษัทซัมซุงเป็นผู้พัฒนาขึ้นมาในปี ค.ศ.1993 ซึ่งหน่วยความจำก่อนหน้านี้ใช้ระบบบัสแบบอะซิงโครนัส นั่นหมายถึงจังหวะการทำงานของซีพียูกับหน่วยความจำใช้สัญญาณนาฬิกาคนละตัว จังหวะการทำงานที่ไม่ซิงโครไนซ์กัน จึงเป็นปัญหา เพราะเทคโนโลยีซีพียูต้องการความเร็วและมีการสร้างระบบบัสมาตรฐานขึ้นมา ชนิดของ SDRAM เช่น PC66 PC100 PC133 หรือ PC200 (จะเห็นว่ามีอักษร PC แล้วตามด้วยตัวเลขต่อท้ายอยู่ด้วย ซึ่งก็คือการระบุความเร็วบัสในการทำงานของหน่วยความจำ SDRAM ตัวนั้นคะ เช่น PC100 ก็แสดงว่า SDRAM ตัวนั้นออกแบบมาให้ทำงานกับระบบบัสที่ความเร็ว 100MHz ) แต่ว่าเมื่อเทคโนลียีแรมพัฒนาขึ้นอีก SDRAM ก็มีผู้ใช้น้อยลง จนในปัจจุบัน SDRAM ถือว่าเป็นเทคโนโลยีที่เก่าไปแล้ว
*************************************************************************
DRAM
Dynamic Random Access Memory หรือ DRAM หรือ ดีแรม คือ แรม (Random Access Memory; RAM) หรือ หน่วยความจำชนิดปกติสำหรับเครื่องคอมพิวเตอร์พีซีและเครื่องเวิร์คสเตชั่น (Workstation) หน่วยความจำคือเครือข่ายของประจุไฟฟ้าที่เครื่องคอมพิวเตอร์ใช้เก็บข้อมูลในรูปของ "0" และ "1" ที่สามารถเข้าถึงได้ง่ายๆRandom Access หรือ การเข้าถึงแบบสุ่ม หมายถึง โปรเซสเซอร์สามารถเข้าถึงทุกๆส่วนของหน่วยความจำหรือพื้นที่เก็บข้อมูลได้โดยตรง ไม่จำเป็นต้องค้นหาข้อมูลที่ต้องการเรียงตามลำดับจากจุดเริ่มต้นDRAM คือไดนามิก ซึ่งตรงกันข้ามกับ SRAM หรือ สแตติกแรม (Static RAM); DRAM ต้องการการรีเฟรช (Refresh) เซลเก็บข้อมูล หรือการประจุไฟ (Charge) ในทุกๆช่วงมิลลิวินาที ในขณะที่ SRAM ไม่ต้องการการรีเฟรชเซลเก็บข้อมูล เนื่องจากมันทำงานบนทฤษฎีของการเคลื่อนที่ของกระแสไฟฟ้าซึ่งมีการเปลี่ยนแปลงใน 2 ทิศทาง ไม่เหมือนกับเซลเก็บข้อมูลซึ่งเป็นเพียงตัวเก็บประจุไฟฟ้าเท่านั้น โดยทั่วไป SRAM มักจะถูกใช้เป็นหน่วยความจำแคช (Cache Memory) ซึ่งโปรเซสเซอร์สามารถเข้าถึงได้เร็วกว่าDRAM จะเก็บทุกๆบิตในเซลเก็บข้อมูล ซึ่งประกอบขึ้นด้วยกลุ่มตัวเก็บประจุ (คาปาซิเตอร์; Capacitor) และทรานซิสเตอร์ (Transistor) คาปาซิเตอร์จะสูญเสียประจุไฟฟ้าอย่างรวดเร็ว และนั่นเป็นเห็นเหตุผลว่า ทำไม DRAM จึงต้องการการรีชาร์ต
*******************************************************************************
DDR-RAM (ดีดีอาร์ แรม) หรือ DDR SDRAM ย่อมาจากคำว่า "Double Data Rate SDRAM" คือ หน่วยความที่ใช้เก็บข้อมูลชั่วคราว (Ram) ที่ได้รับการพัฒนา และ ยึดถือหลักการทำงานตามปกติของหน่วยความจำแบบ SD-RAM จึงทำให้ทำงานได้เหมือนกัน SD-RAM แทบทุกอย่าง แตกต่างกันตรงที่ DDR-RAM สามารถทำงานที่ความเร็วสูงกว่า 200MHz (เมกะเฮิร์ตซ) ขึ้นไปได้ และมีความสามารถในการรับส่งข้อมูลเพิ่มขึ้นเป็น 2 เท่า คือ รับส่งข้อมูลได้ทั้งทั้งขาขึ้นและขาลงของสัญญาณนาฬิกา เทียบกับSD-RAM ปกติที่จะรับส่งข้อมูลเฉพาะขาขึ้นของสัญญาณนาฬิกาเพียงด้านเดียวคะ แรมชนิดนี้สังเกตุได้จากมีจำนวนขาสัญญาณ(Pins) 184 ขา และเขี้ยวที่ด้านสัมผัสทองแดงมีอยู่ที่เดียว แตกต่างจาก SD-RAM ที่มีอยู่ 2 ที่
*******************************************************************************
ประเภทของแรม (RAM)
แบ่งออกได้เป็น 2 ประเภทใหญ่ๆ คือ
๐ Static RAM (SRAM) ทำจากวงจรที่ใช้เก็บข้อมูลด้วยสถานะ “มีไฟ” กับ “ไม่มีไฟ” ซึ่งสามารถเก็บข้อมูลไว้ได้ตลอดเวลาตราบเท่าที่ยังมีกระแสไฟฟ้าเลี้ยงวงจรอยู่ นิยมไปใช้ทำเป็นหน่วยความจำแคช (Cache) ภายในตัวซีพียู เพราะมีความเร็วในการทำงานสูงกว่า DRAM มาก แต่ไม่สามารถทำให้มีขนาดความจุสูงๆได้ เนื่องจากราคาแพงและกินกระแสไฟมากจนมักทำให้เกิดความร้อนสูง อีกทั้งวงจรก็ยังมีขนาดใหญ่ด้วย
๐ Dynamic RAM (DRAM) ทำจากวงจรที่ใช้การเก็บข้อมูลด้วยสถานะ “มีประจุ” กับ “ไม่มีประจุ” ซึ่งวิธีนี้จะใช้พลังงานไฟฟ้าน้อยกว่า SRAM มาก แต่โดยธรรมชาติแล้วประจุไฟฟ้าจะมีการรั่วไหลออกไปได้เรื่อยๆ ดังนั้นเพื่อให้ DRAM สามารถเก็บข้อมูลไว้ได้ตลอดเวลาตราบใดที่ยังมีกระแสไฟเลี้ยงวงจรอยู่ จึงต้องมีวงจรอีกส่วนหนึ่งคอยทำหน้าที่ “เติมประจุ” ไฟฟ้าให้เป็นระยะๆ ซึ่งเรียกกระบวนการเติมประจุไฟฟ้านี้ว่าการ รีเฟรช (Refresh) หน่วยความจำประเภท DRAM นี้ นิยมนำไปใช้ทำเป็นหน่วยความจำหลักของระบบในรูปแบบของชิปอที (Integrated Circuit) บนแผงโมดูลของหน่วยความจำ RAM หลากหลายชนิด เช่น SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 และ RDRAM เป็นต้น โดยสามารถออกแบบให้มีขนาดความจุสูงๆได้ กินไฟน้อย และไม่เกิดความร้อนสูงชนิดของแรมหรือ DRAM (ในปัจจุบัน)
DRAM ที่นำมาใช้ทำเป็นแผงหน่วยความจำหลักของระบบชนิดต่างๆ มีดังนี้
EDO RAM
คำว่า EDO ย่อมาจาก Extended Data-Out เป็น DRAM ที่ใช้ในเครื่องคอมพิวเตอร์รุ่นเก่าปัจจุบันได้ผลิตไปนานแล้ว SDRAM (Synchronous DRAM) ตัวชิปจะใช้บรรจุภัณฑ์ (Package) แบบ TSOP (Thin Small Outline Package) ติดตั้งอยู่บนแผงโมดูลแบบ DIMM (Dual Inline Memory Module) ที่มีร่องบากบริเวณแนวขาสัญญาณ 2 ร่อง และมีจำนวนขาทั้งสิ้น 168 ขา ใช้แรงดันไฟ 3.3 โวลต์ ความเร็วบัสมีให้เลือกใช้ทั้งรุ่น PC-66 (66 MHz), PC-100 (100 MHz), PC-133 (133 MHz) และ PC-150 (150 MHz) ปัจจุบันได้หมดความนิยมไปแล้วจะได้พบก็แต่เพียงในคอมพิวเตอร์รุ่นเก่าๆเท่านั้น ในยุคของ SDRAM ได้มีการเปลี่ยนแปลงวิธีการจำแนกรุ่นต่างๆจากเดิมที่เคยระบุเป็นค่าตัวเลข Access Time ว่ากี่ ns ไปเป็นการบอกความเร็วของบัสที่ใช้งานแทน เช่น 66,100 หรื 133 MHz หรือที่เรามักจะเห็นกันตามกันตามร้านขายอุปกรณ์ที่มักตะระบุข้อความว่าเป็น PC-66, PC-100 หรือ PC-133 นั่นเองและโดยมากมักจะทำออกมาเป็นแผงแบบ 168 Pin เพียงอย่างเดียว
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)
ตัวชิปจะใช้ผลิตภัณฑ์แบบ TSOP เช่นเดียวกับ SDRAM และมีขนาดความยาวของแผงโมดูลเท่ากันคือ 5.25 นิ้ว ติดตั้งอยู่บนแผงโมดูลแบบ DIMM ที่มีร่องบากบริเวณแนวขาสัญญาณ 1 ร่อง และมีจำนวนขาทั้งสิ้น 184 ขา ใช้แรงดันไฟ 2.5 โวลต์ รองรับความจุสูงสุดได้ 1 GB/แผง ความเร็วบัสในปัจจุบันมีให้เลือกใช้ตั้งแต่ 133 MHz (DDR-266) ไปจนถึง 350 MHz (DDR-700)
DDR-II SDRAM
ตัวชิปจะใช้บรรจุภัณฑ์แบบ FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array) ที่มีความต้านทานไฟฟ้าต่ำกว่าแบบ TSOP อีกทั้งยังสามารถออกแบบให้ตัวชิปมีขนาดเล็กและบางลงได้ รวมทั้งการปรับปรุงประสิทธิภาพอีกหลายประการ เช่น การผนวกเอา ODT (On-Die Termination) เข้าไปไว้บนโมดูลของหน่วยความจำเพื่อลดสัญญาณรบกวน, การขยายสัญญาณเป็น 4-bit Prefetch, Additive Latency และ Enhanced Registers เป็นต้น รวมไปถึงจุดเด่นในเรื่องของการปรับลดการใช้พลังงานไฟฟ้าและการใช้ความถี่ที่สูงขึ้น DDR-II SDRAM มีจำนวนขาสัญญาณทั้งสิ้น 240 Pin ซึ่งต่างจาก DDR SDRAM แบบเดิมที่มีเพียง 184 Pin เท่านั้น ดังนั้นจึงต้องใช้เมนบอร์ดที่สนับสนุนหน่วยความจำ DDR II โดยเฉพาะ ซึ่งปัจจุบันก็สามารถพบเห็นได้ทั่วไปทั้งในเครื่อง PC ที่ใช้ชิปเซ็ตของ Intel ในตระกูล Q9xx, P9xx, และ i9xx ทุกรุ่น (i915GL และ i910GL) ร่วมกับช็อคเก็ต LGA 775 และ PCI-Express เป็นต้น นอกจากนี้ยังใช้ชิปเซ็ตของ Intel สำหรับเครื่อง Notebook ในตระกูล i9xx ทุกรุ่นด้วย
DDR-III SDRAM เป็นหน่วยความจำรุ่นล่าสุด โดยตัวชิปจะใช้บรรจุภัณฑ์แบบ FBGA เช่นเดียวกับ DDR2 และมีขนาดความยาวของแผงโมดูลเท่ากันคือ 5.25 นิ้ว ติดตั้งอยู่บนแผงโมดูลแบบ DIMM ที่มีร่องบากบริเวณแนวขาสัญญาณ 1 ร่อง ซึ่งอยู่ในตำแหน่งที่ไม่ตรงกันกับของ DDR2 ทำให้ไม่สามารถเสียบแทนกันได้ และมีจำนวนขาทั้งสิ้น 240 ขา ใช้แรงดันไฟน้อยลงไปอีกเหลือเพียง 1.5 โวลต์ รองรับความจุสูงสุดได้มากถึง 4 GB ความเร็วบัสในปัจจุบันมีให้เลือกใช้ตั้งแต่ 400 MHz (DDR3-800) ไปถึง 533 MHz (DDR3-1066) และคาดว่าในเร็วๆนี้ยังอาจมีความเร็วสูงขึ้นไปอีกจนถึง 667 MHz (DDR3-1333) และ 800 MHz (DDR3-1600) ปัจจุบันหน่วยความจำแบบ DDR3 นี้เริ่มเห็นได้มากขึ้น โดยถูกนำมาใช้งานร่วมกับชิปเซ็ตรุ่นใหม่ๆของ Intel อย่าง Intel P35 Express เป็นต้น RDRAM (Rambus DRAM) ถูกพัฒนาขึ้นมาโดยบริษัท Rambus Inc. โดยถูกนำมาใช้งานครั้งแรกร่วมกับชิปเซ็ต i850 และซีพียู Pemtium 4 ของ Intel ในยุคเริ่มต้น ปัจจุบันไม่ค่อยได้รับความนิยมเท่าที่ควร โดยมีชิปเซ็ตและเมนบอร์ดของ Intel เพียงบางรุ่นเท่านั้นที่สนับสนุน ตัวชิปจะใช้บรรจุภัณฑ์แบบ CSP (Chip-Scale Package) ติดตั้งอยู่บนแผงโมดูลแบบ RIMM (Rambus Inline Memory Module) ที่มีร่องบากบริเวณแนวขาสัญญาณ 2 ร่อง ใช้แรงดันไฟ 2.5 โวลต์ และรองรับความจุสูงสุดได้มากถึง 2 GB ปัจจุบัน RDRAM ที่มีวางขายตามท้องตลาด สามารถแบ่งออกเป็น 2 กลุ่ม คือ
๐ RDRAM (16 บิต) เป็น RDRAM แบบ Single Channel ที่มีความกว้างบัส 1 แชนแนล ขนาด 16 บิต
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น